光通信用1.3μm帯半導体レーザの高温度特性化
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概要
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光通信システムを加入者系等へ用いる場合、低コスト化のため光源の温度特性を改善しペルチェフリーにする必要がある。しかし光通信用に用いられる1.3μm帯半導体レーザの特性温度は低く、光加入者用に用いる上で大きな障害となっている。理論的検討の結果、温度特性の改善にはクラッド層のワイドギャップ化が不可欠であることが予測される。ところがクラッド層のバンドギャップは基板で制限され、通常用いられるInP基板でのクラッド層のワイドバンドギャップ化は困難である。そこで我々は新たな基板とし格子緩和層を用い、その上に歪量子井戸層を作製し1.3μm帯半導体レーザの温度特性の改善を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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