1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
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概要
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光加入者用の光源では高温動作時における低しきい値電流を実現するために高い特性温度Tが求められる。しかし、Tの高いレーザでは発振波長の温度に対する変動がきわめて大きくなることが指摘されている。従って、目的に応じたTの設計が必要となる。そこで今回我々は1.3μm帯InGaAsP/InPFBH量子井戸レーザにおいて利得の温度依存性を測定し、特性温度の決定機構について考察を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
東 敏生
富士通研究所
-
小林 正宏
株式会社富士通研究所
-
荻田 省一
株式会社富士通研究所
-
荻田 省一
(株)富士通研究所
-
小林 正宏
(株)富士通研究所
-
東 敏生
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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