波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性と,+4.5dBmと高いファイバ光出力条件での10.3Gb/s直接変調動作を実現した.
- 2011-08-18
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
-
松本 武
(株)富士通研究所
-
田中 有
(株)富士通研究所
-
高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
前多 泰成
(株)QDレーザ
-
山口 正臣
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
-
西 研一
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
影山 健夫
(株)QDレーザ
-
菅原 充
(株)QDレーザ
-
山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
西 研一
株式会社qdレーザ
-
影山 健生
株式会社qdレーザ
-
前多 泰成
株式会社QDレーザ
-
持田 励雄
株式会社QDレーザ
-
近藤 勇人
株式会社QDレーザ
-
武政 敬三
株式会社QDレーザ
-
近藤 勇人
(株)QDレーザ
-
持田 励雄
(株)QDレーザ
-
影山 健生
(株)QDレーザ
-
武政 敬三
(株)QDレーザ
-
山口 正臣
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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