松本 武 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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松本 武
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
田中 有
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山口 正臣
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所
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西 研一
(株)QDレーザ
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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菅原 充
(株)QDレーザ
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
西 研一
株式会社qdレーザ
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山口 正臣
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山本 剛之
(株)QDレーザ
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
高田 幹
株式会社富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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前多 泰成
(株)QDレーザ
-
宋 海智
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
影山 健夫
(株)QDレーザ
-
前多 泰成
株式会社QDレーザ
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影山 健生
(株)QDレーザ
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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影山 健生
株式会社qdレーザ
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武政 敬三
株式会社QDレーザ
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近藤 勇人
(株)QDレーザ
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持田 励雄
(株)QDレーザ
-
武政 敬三
(株)QDレーザ
-
持田 励雄
株式会社QDレーザ
-
近藤 勇人
株式会社QDレーザ
-
菅原 充
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (光エレクトロニクス)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (電子部品・材料)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 (機構デバイス)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発