菅原 充 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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菅原 充
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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向井 剛輝
(株)富士通研究所
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石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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菅原 充
(株)QDレーザ
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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松本 武
(株)富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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宋 海智
(株)富士通研究所
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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西 研一
(株)QDレーザ
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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菅原 充
株式会社富士通研究所
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石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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西 研一
株式会社qdレーザ
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山口 正臣
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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大塚 信幸
富士通研究所
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小路 元
(株) 富士通研究所
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大塚 信幸
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所光半導体研究部
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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前多 泰成
株式会社QDレーザ
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河合 正昭
富士通株式会社
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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石川 浩
株式会社富士通研究所
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井出 聡
(株)富士通研究所
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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倉又 朗人
(株)富士通研究所
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粟野 祐二
富士通研
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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山端 徹次
(株)富士通研究所
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森 和行
(株)富士通研究所
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河合 正昭
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学 生産技術研究所
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内田 徹
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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河合 正昭
株式会社富士通研究所:富士通株式会社
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森 和行
富士通
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森 和行
富士通(株)
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菅原 充
富士通研究所
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大島 利雄
(株)富士通研究所
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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石川 浩
(独)産業技術総合研究所
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粟野 祐二
富士通株式会社
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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粟野 祐二
(株)富士通研究所
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関根 徳彦
(独)情報通信研究機構
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秋山 知之
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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下山 峰史
産業技術総合研究所
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関根 徳彦
情報通信研究機構
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関根 徳彦
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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鍬塚 治彦
(株)富士通研究所
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下山 峰史
フェムト秒テクノロジー研究機構
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秋山 知之
(株)富士通研究所
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大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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西嶋 由人
(株)富士通研究所
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青木 修
(株)富士通研究所
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倉又 朗人
株式会社富士通研究所
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小路 元
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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石川 浩
(株)富士通研究所
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小路 元
株式会社富士通研究所
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向井 剛輝
株式会社富士通研究所
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大塚 信幸
株式会社富士通研究所
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内田 徹
株式会社富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
菅原 充
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
羽鳥 伸明
(株)富士通研究所
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井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体光増幅器内の四光波混合を用いた超高速波長変換
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- 青色励起子分子レーザの可能性と局在励起子物性
- 青色励起子分子レーザの可能性と局在励起子物性
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 自己形成InGaAs量子ドットにおけるフォノンボトルネック現象の観察
- 自己組織化In_Ga_As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振
- LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
- InGaAs自己形成量子ドットレーザ
- 半導体量子構造における束縛励起子の自然放射と誘導放射
- 5-2 量子ドットレーザと光増幅器(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
- 半導体量子ドットレーザーの進展
- 量子ドットルーザの開発の現状と今後の展望
- 光通信用の波長1.3μm量子ドットレーザ (特集1 高性能化進む半導体レーザとその応用)