5-2 量子ドットレーザと光増幅器(5.先端半導体レーザの現状と展望,<特集>進化する先端フォトニックデバイス)
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概要
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半導体光デバイスの活性層に直径10〜20nm程度の半導体微結晶である量子ドットを導入することによって,デバイスの性能を飛躍的に向上させることができる.本稿では,この量子ドットを利用した光通信用デバイスとして,波長1.3μm帯で温度安定に10Gbit/sの高速で動作する量子ドットレーザと,波長1.5μm帯で広帯域(>100nm),高利得(>20dB),高出力(>20dBm)で動作する量子ドット光増幅器を紹介する.これらのデバイスはNEDOの支援と東京大学・富士通の産学連携に基づいて開発され,現在ベンチャー企業(株)QDレーザで事業化が進められている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
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