青色励起子分子レーザの可能性と局在励起子物性
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概要
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励起子分子-励起子間遷移を利用した青色半導体レーザの実現可能性を検討した。まず、系の次元にかかわらず適用可能な線形光学利得の表式を導き、反転分布条件と利得スペクトルを得る。励起子分子一励起子間の熱平衡の議論から、励起子分子レーザの室温動作には励起子分子の局在化が必要であることを指摘する。励起子ボーア半径程度の半径を持つInGaN量子ドットをレーザ活性層として用いることができれば、室温において100A/cm^2程度の低しきい植電流密度での発振が可能であることを示す。量子ドット中の局在励起子分子としての効果が、振動子強度と光学利得の増大に現れることを指摘する。1μm帯のInGaAs自己形成量子ドットと比較し、InGaN局在励起子分子レーザの発振はより広いスペクトル幅、より小さな被覆率でも実現することが明らかとなる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-17
著者
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