山本 剛之 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所の論文著者

関連著者

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 清水 隆徳

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 賣野 豊

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 中村 隆宏

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 臼杵 達哉

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 秋山 傑

  富士通研究所

• 下山 峰史

  (株)富士通研究所

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 清水 隆徳

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中村 隆宏

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  株式会社富士通研究所

• 影山 健夫

  (株)QDレーザ

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所

• 植竹 理人

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所

• 森 雅彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 影山 健生

  株式会社qdレーザ

• 影山 健生

  (株)QDレーザ

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 賣野 豊

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 江川 満

  株式会社富士通研究所

• 前多 泰成

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  株式会社富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 倉橋 輝雄

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 中村 隆宏

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 前多 泰成

  株式会社QDレーザ

• 持田 励雄

  株式会社QDレーザ

• 武政 敬三

  株式会社QDレーザ

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 持田 励雄

  (株)QDレーザ

• 武政 敬三

  (株)QDレーザ

• 倉橋 輝雄

  富士通研究所

• 清水 隆徳

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:光電子融合基盤技術研究所

• 山田 浩治

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 中田 義昭

  株式会社富士通研究所

• 秋山 傑

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 馬場 威

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 藤方 潤一

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 岡野 誠

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 賣野 豊

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 近藤 勇人

  株式会社QDレーザ

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 近藤 勇人

  (株)QDレーザ

• 臼杵 達哉

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 藤方 潤一

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 高林 和雅

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 森 雅彦

  産業技術総合研究所 光技術研究部門

• 大坪 孝二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 清水 隆徳

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 石坂 政茂

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 河合 正昭

  富士通株式会社

• 関口 茂昭

  株式会社富士通研究所

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 渡辺 俊文

  Nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 鄭 錫換

  富士通株式会社

• 田中 有

  富士通研究所

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

• 斉藤 恵美子

  日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会

• 関口 茂昭

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 赤川 武志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 山端 徹次

  (株)富士通研究所

• 森 和行

  (株)富士通研究所

• 河合 正昭

  (株)富士通研究所

• 石田 充

  東京大学 生産技術研究所

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 河合 正昭

  株式会社富士通研究所:富士通株式会社

• 森 和行

  富士通

• 森 和行

  富士通(株)

• 福田 浩

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 板橋 聖一

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫煥

  富士通株式会社

• 早川 明憲

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 鄭 錫煥

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステム研

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  (株)富士通研究所

• 関口 茂昭

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 森戸 健

  富士通研究所

• 高林 和雄

  (株)富士通研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 植竹 理人

  (財)光産業技術振興協会

• 松田 学

  (財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  (財)光産業技術振興協会

• 山田 浩治

  Nttマイクロシステム研

• 関口 茂昭

  富士通研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 高 磊

  NTTマイクロシステムインテグレーション研

• 石川 靖彦

  東大院工

• 森戸 健

  富士通研

• 臼杵 達哉

  富士通研究所

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ

• 荒川 泰彦

  Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo

• 土澤 泰

  Nttマイクロシステムインテグレーション研

• 岡本 大典

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 山田 浩治

  Nttマイクロシステムインテグレーション研

• 賣野 豊

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 西 英隆

  Nttマイクロシステムインテグレーション研

• 野口 将高

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 赤川 武志

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中村 隆宏

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology (PECST)

• 秋山 傑

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 馬場 威

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 臼杵 達哉

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)

• 石坂 政茂

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 三浦 真

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 志村 大輔

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 土澤 泰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 渡辺 俊文

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 山田 浩治

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 板橋 聖一

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 斉藤 恵美子

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)

• 森 雅彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所

• 三浦 真

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 志村 大輔

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)

• 山本 剛之

  富士通研究所

• 山田 浩治

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:nttマイクロシステムインテグレーション研究所

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 鄭 錫煥

  富士通研究所

• 中村 隆宏

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 森 雅彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:独立行政法人産業技術総合研究所

• 岡山 秀彰

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構沖電気工業株式会社研究開発センタ

• 堀川 剛

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

• 賣野 豊

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 埜口 良二

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 野口 将高

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 今井 雅彦

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 山岸 雅司

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 斎藤 茂

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 平山 直紀

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 高橋 正志

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 高橋 博之

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

• 斉藤 恵美子

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology

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著作論文

• B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-18 全ての光コンポーネントを単一シリコン基板上に集積したシリコン光インターポーザの30Tbps/cm2動作実証(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)

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