山本 剛之 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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菅原 充
(株)QDレーザ
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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秋山 傑
(株)富士通研究所
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高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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田中 有
(株)富士通研究所
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山口 正臣
(株)QDレーザ
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西 研一
(株)QDレーザ
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田中 有
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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松本 武
(株)富士通研究所
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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植竹 理人
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
株式会社富士通研究所
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渡辺 孝幸
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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前多 泰成
(株)QDレーザ
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関口 茂昭
株式会社富士通研究所
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関口 茂昭
(株)富士通研究所
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宋 海智
(株)富士通研究所
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小林 正宏
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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小林 宏彦
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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倉又 朗人
株式会社富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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影山 健夫
(株)QDレーザ
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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廣瀬 真一
(株)富士通研究所
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倉又 朗人
(株)富士通研究所
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小林 宏彦
(株)富士通研究所
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竹内 辰也
株式会社富士通研究所
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竹内 辰也
(株)富士通研究所
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荻田 省一
株式会社富士通研究所
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荻田 省一
(株)富士通研究所
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小林 正宏
(株)富士通研究所
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清水 隆徳
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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下山 峰史
(株)富士通研究所
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賣野 豊
NECシステムプラットフォーム研究所
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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臼杵 達哉
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:富士通研究所
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松田 学
(株)富士通研究所
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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江川 満
株式会社富士通研究所
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雙田 晴久
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所
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馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:(株)富士通研究所
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上田 誠
(株)富士通研究所
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伊藤 浩明
(株)富士通研究所
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大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
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藤井 卓也
株式会社富士通研究所
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石川 務
(株)富士通研究所
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渡辺 孝幸
富士通(株)
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藤井 卓也
(株)富士通研究所
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石川 務
住友電工デバイス・イノベーション(株)
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藤井 卓也
住友電工デバイス・イノベーション(株)
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Schubert C.
Heinrich-Hertz-Institute (HHI)
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Schmidt C.
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,
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中田 義昭
株式会社富士通研究所
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秋山 傑
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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倉橋 輝雄
(株)富士通研究所
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馬場 威
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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臼杵 達哉
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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河口 研一
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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Feiste U
Heinch‐hertz‐inst. Nachrichtentechnik Berlin Gmbh Berlin Deu
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Feiste U
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)com Technical University
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Feiste U
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh : (present Address) Com Technical Univers
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Feiste U.
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)com Technical University
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苫米地 秀一
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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井出 聡
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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東 敏生
富士通研究所
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石田 充
東京大学生産技術研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所
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中田 義昭
東京大学生産技術研究所
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江部 広治
東京大学生産技術研究所
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菅原 充
(財)光産業技術振興協会
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森 和行
(株)富士通研究所
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森 和行
富士通(株)
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Ludwig Reinhold
Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institut
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藤井 卓也
ユーディナデバイス株式会社
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山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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東 敏生
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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高林 和雅
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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Schubert C
Heinrich‐hertz‐inst. Berlin Deu
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Dietrich E.
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,
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大坪 孝二
(株)富士通研究所
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高田 幹
(株)富士通研究所
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秋山 傑
株式会社 富士通研究所
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山本 剛之
株式会社 富士通研究所
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森 雅彦
産業技術総合研究所 光技術研究部門
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Weber H.g
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh
-
Schubert Colja
Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institut
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Schmidt C
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
-
Feiste U
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
-
Oxenlowe L.K
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
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Berger J
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
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Ludwig R
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
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Dietrich E
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
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大坪 孝二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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Oxenlowe L.k
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)tycom Laboratories Usa
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Oxenlowe L.k
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh :(present Address) Tycom Laboratories
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田中 一弘
富士通株式会社
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河合 正昭
富士通株式会社
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田中 一弘
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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鄭 錫換
富士通株式会社
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田中 有
富士通研究所
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斉藤 恵美子
日本電気株式会社ナノエレタトロニクス研究所:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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森戸 健
(株)富士通研究所
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赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山端 徹次
(株)富士通研究所
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河合 正昭
(株)富士通研究所
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石田 充
東京大学 生産技術研究所
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森戸 健
株式会社富士通研究所
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森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
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山本 毅
株式会社富士通研究所
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三浦 和則
株式会社富士通研究所
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河合 正昭
株式会社富士通研究所:富士通株式会社
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森 和行
富士通
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山本 毅
(株)富士通研究所
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山本 毅
ジャトコ株式会社
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石川 務
株式会社富士通研究所
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渡辺 孝幸
富士通株式会社
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三浦 和則
富士通株式会社
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板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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Ludwig R.
Heinrich-Hertz-Institute (HHI)
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Ludwig R.
ハインリッヒヘルツ研究所
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Schubert C.
ハインリッヒヘルツ研究所
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Schmidt C.
ハインリッヒヘルツ研究所
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Weber H.G.
ハインリッヒヘルツ研究所
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田中 信介
(株)富士通研究所
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鄭 錫煥
富士通株式会社
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Ludwig R.
Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institute (hhi)
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早川 明憲
(株)富士通研究所
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須藤 久男
(株)富士通研究所
-
鄭 錫煥
(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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川戸 栄
福井大学大学院工学研究科
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土澤 泰
Nttマイクロシステム研
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川戸 栄
福井大
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Berger J.
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH,
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田中 宏昌
富士通(株)
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佐々木 誠美
富士通株式会社
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矢野 光博
株式会社富士通研究所
-
佐々木 誠美
株式会社富士通研究所
-
矢野 光博
株式会社 富士通研究所
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秋山 傑
株式会社富士通研究所
-
関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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森戸 健
富士通研究所
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高林 和雄
(株)富士通研究所
-
岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
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松田 学
(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
(財)光産業技術振興協会
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Weber H.
Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz-institute (hhi)
-
Weber H.g.
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh
-
山田 浩治
Nttマイクロシステム研
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関口 茂昭
富士通研究所
-
田中 信介
富士通研究所
-
佐々木 誠美
富士通株式会社基幹通信事業本部
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Feiste U.
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
-
Oxenlowe L.K.
Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik Berlin GmbH
-
森戸 健
富士通研
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臼杵 達哉
富士通研究所
-
岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ
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Schuber C.
Fraunhofer Institute For Telecommunications Heinrich-hertz Institute(hhi)
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Oxenlowe L.k.
Heinrich-hertz-institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh:(present Address)tycom Laboratories
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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岡本 大典
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
著作論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 量子ドット光デバイス (特集 研究開発最前線)
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザー
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- 1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
- テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
- テーパ導波路FBHレーザの変調特性
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 4-4 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化