倉又 朗人 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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倉又 朗人
株式会社富士通研究所
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倉又 朗人
(株)富士通研究所
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秋山 傑
(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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秋山 傑
富士通研究所
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関口 茂昭
株式会社富士通研究所
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廣瀬 真一
(株)富士通研究所
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渡辺 孝幸
(株)富士通研究所
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関口 茂昭
(株)富士通研究所
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堂免 恵
(株)富士通研究所
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上田 誠
(株)富士通研究所
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雙田 晴久
(株)富士通研究所
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伊藤 浩明
(株)富士通研究所
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竹内 辰也
株式会社富士通研究所
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竹内 辰也
(株)富士通研究所
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堀野 和彦
(株)富士通研究所
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棚橋 俊之
(株)富士通研究所
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菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
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副島 玲子
(株)富士通研究所
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
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石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所
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石田 充
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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菅原 充
(株)富士通研究所
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館林 潤
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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羽鳥 伸明
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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江部 広治
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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須藤 久男
富士通研究所
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倉又 朗人
富士通研究所
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菅原 充
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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安岡 奈美
富士通株式会社
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関根 徳彦
(独)情報通信研究機構
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須藤 久男
(株)富士通研究所
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関根 徳彦
情報通信研究機構
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関根 徳彦
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
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鍬塚 治彦
(株)富士通研究所
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大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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西嶋 由人
(株)富士通研究所
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青木 修
(株)富士通研究所
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石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
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館林 潤
東京大学生産技術研究所
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秋山 傑
株式会社富士通研究所
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羽鳥 伸明
東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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鍬塚 治彦
富士通研究所
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大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
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窪田 晋一
(株)富士通研究所
-
ハック ピーター
(株)富士通研究所
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羽鳥 伸明
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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安岡 奈美
(株)富士通研究所
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内田 徹
(株)富士通カンタムデバイス
-
米田 昌博
(株)富士通カンタムデバイス
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石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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羽鳥 伸明
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所
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羽鳥 伸明
富士通研究所
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羽鳥 伸明
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
著作論文
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- SiC基板上の連続動作InGaNレーザー
- III-V族窒化物半導体における基板の課題
- スピネル基板上へのGaN結晶のMOVPE成長
- C-4-38 40Gbit/sシステム用InP/InGaAs導波路型アバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)