棚橋 俊之 | (株)富士通研究所

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著作論文

• SiC基板上の連続動作InGaNレーザー
• III-V族窒化物半導体における基板の課題
• スピネル基板上へのGaN結晶のMOVPE成長
• AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力動作における光学損傷
• 半導体レーザにおける端面およびバルク劣化の評価法

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