AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力動作における光学損傷
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
680nm帯AlGaInP系可視光半導体レーザは,光磁気ディスク装置の光源として,注目されており,高温高出力動作における信頼性が要求されている.本レーザの高出力動作における寿命は,端面の光学損傷による突然劣化で制限される.本論文では,突然劣化に対して用いられる従来の寿命推定法の問題点を示し,これらを解決する新しい方法を提案すると共に,可視光半導体レーザに対して寿命を推定した結果について述べる.更に,レーザ端面に対してμ-AES(micro-Auger Electron Spectroscopy)深さ方向分析を行い,コート膜とレーザ結晶の相互拡散とコート膜とレーザの界面に形成される自然酸化膜を定量的に評価し,突然劣化に与える影響を検討した結果について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-25
著者
関連論文
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- SiC基板上の連続動作InGaNレーザー
- III-V族窒化物半導体における基板の課題
- スピネル基板上へのGaN結晶のMOVPE成長
- AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力動作における光学損傷
- 半導体レーザにおける端面およびバルク劣化の評価法