半導体レーザにおける端面およびバルク劣化の評価法
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概要
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本論文では,半導体レーザにおける端面劣化とバルク劣化(結晶劣化)を切り分けて評価することを目的として,劣化素子を共振器方向に三つの領域にへき開分割する新しい評価法を提案する.更に,本評価法のAlGaInP系可視光半導体レーザへの適用例により端面コートを行わないクリーブ素子とAR-HR(Anti-Reflection-High-Reflection)端面コートを行った素子のいずれに対しても,劣化によって生じる端面反射率の変化ならびに端面劣化とバルク劣化が素子特性に与える影響を定量的に評価できることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-02-25
著者
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