近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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InP系ナノワイヤは、近赤外領域の微小光源構造体として応用が期待されている。我々は、光源に適したナノワイヤヘテロ構造実現に向けて、ウルツ鉱型(WZ)結晶を有するInPナノワイヤを基とした、径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤのMOVPE成長の検討およびそれらナノワイヤの光学特性評価を行った。径方向量子井戸がナノワイヤコア上にエピタキシャルに成長することにより、平滑な側壁を有し、積層欠陥のないWZ結晶の量子井戸ナノワイヤが形成された。InAsP量子井戸の発光波長は、InAsP膜厚とAs組成により制御することができ、波長1.3μmの室温発光を示す径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤが得られた。
- 2012-11-22
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
江川 満
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
株式会社富士通研究所
-
中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
中田 義昭
株式会社富士通研究所
-
荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
河口 研一
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
-
江川 満
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
河口 研一
株式会社富士通研究所
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