高コンダクタンスC_<60>薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
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概要
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ボトムコンタクト型C_<60>薄膜トランジスタについて報告する。チャネル長は5から40μmである。移動度のチャネル長依存性を測定した結果,飽和領域の移動度はわずかにチャネル長に依存し,2.45から3.23cm^2/Vsであった。最高移動度3.23cm^2/Vsはチャネル長5μmのトランジスタで得られた。そのトランジスタでは119μS/mmと有機トランジスタとしては非常に高いコンダクタンスが得られた。短チャネルのトランジスタで高移動度が得られた理由を調べるため寄生抵抗を算出した。その結果,1kΩcm以下の値が得られた。この小さな寄生抵抗により短チャネルのトランジスタで移動度の低下がなく高移動度が達成できたものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-24
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
北村 雅季
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
ナ ジョンホ
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
ナ ジョンホ
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学先端科学技術研究センター
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