GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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独自に開発したGaNナノワイヤの無触媒有機金属気相成長法による作製技術(自己形成法および選択成長法)について、得られる結晶の形状に影響を与えるパラメータの熱力学的および反応工学的解析を行った。その結果、GaNナノワイヤは低過飽和度において形成されること、微細な構造の選択成長ではパターンの開口率を考慮して材料供給量を最適化する必要があること、が明らかになった。一方、高品質な単一光子発生器への応用を目指して、GaN/AlNヘテロ構造ナノワイヤにGaN量子ドットを組み込んだ素子を作製し、その光学特性を評価した。
- 2011-11-10
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
-
有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
有田 宗貴
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
崔 〓鉉
東京大学生産技術研究所
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