25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
石井 晃
鳥取大学大学院工学研究科
-
石井 晃
鳥取大工
-
荒川 泰彦
東大生研
-
石井 晃
鳥取大 工
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
塚本 史郎
東京大学生産技術研究所
-
大島 俊輔
鳥取大工
-
塚本 史郎
東大生研NCRC
-
Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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