中田 義昭 | 株式会社富士通研究所

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概要

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関連著者

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 中田 義昭

  株式会社富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 江川 満

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 河口 研一

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 河口 研一

  株式会社富士通研究所

• 江川 満

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石川 浩

  株式会社富士通研究所

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 石川 浩

  フェムト秒テクノロジー研究機構

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 石川 浩

  RWCP光インターコネクション富士通研究室

• 菅原 充

  株式会社富士通研究所

• 向井 剛輝

  (株)富士通研究所

• 小路 元

  (株) 富士通研究所

• 小路 元

  株式会社富士通研究所

• 向井 剛輝

  株式会社富士通研究所

• 杉山 芳弘

  株式会社富士通研究所

• 横山 直樹

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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