江川 満 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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江川 満
株式会社富士通研究所
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江川 満
(株)富士通研究所
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植竹 理人
(株)富士通研究所
-
苫米地 秀一
(株)富士通研究所
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苫米地 秀一
株式会社富士通研究所
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植竹 理人
株式会社富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社
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山本 剛之
(株)富士通研究所
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山本 剛之
株式会社富士通研究所
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山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
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山本 剛之
(株)QDレーザ
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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関口 茂昭
株式会社富士通研究所
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高林 和雅
株式会社富士通研究所
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早川 明憲
株式会社富士通研究所
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鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
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田中 信介
富士通株式会社
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関口 茂昭
(株)富士通研究所
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森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
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鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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田中 信介
(株)富士通研究所
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高林 和雅
(株)富士通研究所
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早川 明憲
(株)富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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鍬塚 治彦
(株)富士通研究所
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植竹 理人
富士通研究所
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関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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高林 和雄
(株)富士通研究所
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植竹 理人
富士通株式会社
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鍬塚 治彦
富士通研究所
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中田 義昭
株式会社富士通研究所
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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河口 研一
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
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河口 研一
株式会社富士通研究所
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江川 満
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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野中 作太郎
九州電気専門学校
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小滝 裕二
(株)富士通研究所
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森戸 健
(株)富士通研究所
-
小滝 裕二
株式会社富士通研究所
-
森戸 健
株式会社富士通研究所
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藤井 卓也
株式会社富士通研究所
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佐藤 嘉洋
株式会社富士通研究所
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渡辺 孝幸
株式会社富士通研究所
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藤井 卓也
住友電工デバイス・イノベーション(株)
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奥村 滋一
(株)富士通研究所
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佐藤 嘉洋
(株)富士通研究所
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下山 峰史
株式会社富士通研究所
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松田 学
株式会社富士通研究所
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奥村 滋一
株式会社富士通研究所
著作論文
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 高い飽和光出力を持つ1.55μm帯偏波無依存型半導体光増幅器における10Gb/s変調光増幅特性
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)