松田 学 | 株式会社富士通研究所
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概要
関連著者
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松田 学
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
松田 学
富士通研究所
-
植竹 理人
富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
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松田 学
(株)富士通研究所
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
小滝 裕二
(株)富士通研究所
-
下山 峰史
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
植竹 理人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
松田 学
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
江川 満
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
下山 峰史
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
-
山路 和宏
富士通株式会社
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
下山 峰史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
石川 浩
株式会社富士通研究所
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森戸 健
富士通株式会社
-
森戸 健
(株)富士通研究所
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佐藤 恵二
(株)富士通研究所
-
高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
高田 幹
株式会社富士通研究所
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高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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下山 峰史
産業技術総合研究所
-
青木 修
(株)富士通研究所
-
石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所
-
高田 幹
(株)富士通研究所
-
小路 元
(株) 富士通研究所
-
上手 清嗣
富士通(株)
-
石川 浩
富士通研究所
-
大坪 孝二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
苫米地 秀一
(株)富士通研究所
-
秋山 祐一
富士通株式会社
-
秋山 祐一
株式会社富士通研究所
-
江川 満
株式会社富士通研究所
-
鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
-
井出 聡
(株)富士通研究所
-
秋山 傑
(株)富士通研究所
-
小滝 裕二
富士通研究所
-
小滝 裕二
株式会社富士通研究所
-
大坪 孝二
(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
(財)光産業技術振興協会
-
森 和行
(株)富士通研究所
-
森 和行
富士通(株)
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藤井 卓也
光技術研究開発
-
山本 剛之
株式会社富士通研究所
-
佐藤 嘉洋
株式会社富士通研究所
-
石川 浩
(独)産業技術総合研究所
-
大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
田中 宏昌
富士通(株)
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山路 和宏
富士通(株)
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上手 清嗣
(株)富士通研究所
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山路 和弘
富士通(株)
-
佐藤 嘉洋
(株)富士通研究所
-
久保田 幹
富士通株式会社
-
中元 洋
株式会社 富士通研究所
-
秋山 祐一
株式会社 富士通研究所
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松田 学
株式会社 富士通研究所
-
小滝 裕二
株式会社 富士通研究所
-
初鹿野 幸男
富士通株式会社
-
町田 英樹
富士通株式会社
-
濱野 宏
株式会社 富士通研究所
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植竹 理人
(財)光産業技術振興協会
-
松田 学
(財)光産業技術振興協会
-
江川 満
(財)光産業技術振興協会
-
鍬塚 治彦
富士通研究所
-
小路 元
富士通研究所
-
下山 峰史
富士通研究所
-
小路 元
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
松田 学
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
鍬塚 冶彦
富士通研究所
-
LITTLE Brent
富士通研究所
-
山崎 進
光技術研究開発
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井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
秋山 傑
富士通研究所
-
奥村 滋一
株式会社富士通研究所
著作論文
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電圧10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ
- 低駆動電圧変調器集積化DFBレーザによる10Gb/s,100km伝送
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 変調器集積化DFB-LDとAPDを用いた10Gbit/s 1.3μm零分散ファイバ伝送
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 発振光をポンプ光としたDFBレーザー内での非縮退四光波混合
- 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
- 半導体レーザ内の四光波混合を用いた波長変換の高効率化
- DFB半導体レーザ内での非縮退四光波混合による波長変換
- 微細凹凸InP基板上へのInGaAs量子細線成長
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)