微細凹凸InP基板上へのInGaAs量子細線成長
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概要
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微細凹凸形状基板の凹部に薄膜結晶成長する方法は、量子細線形成にとって有望である。光通信用素子への量子細線の応用を想定すれば、凹凸InP基板上へのInGaAs細線がその基本構造となるが、InP微細凹凸形状は熱的に不安定で成長への昇温過程で容易に熱変形してしまう。今回、制御性よく大面積に露光が可能な干渉露光法と異方性エッチングを組合わせることによって回折格子状のInP微細凹凸の周期を量子サイズである60nmまで短周期化し、約350℃の低温で凹凸形状InP基板の表面をGaAs超薄膜結晶でコーティングすることによって作製したInP超微細凹凸形状の熱変形を抑制し、InP凹凸形状基板上へのInGaAs量子細線の成長に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-14
著者
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