江川 満 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

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概要

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関連著者

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 松本 武

  (株)富士通研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 宋 海智

  (株)富士通研究所

• 山口 正臣

  (株)QDレーザ

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所

• 西 研一

  (株)QDレーザ

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 中田 義昭

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 菅原 充

  (株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 菅原 充

  (株)QDレーザ

• 植竹 理人

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 西 研一

  株式会社qdレーザ

• 山口 正臣

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 森戸 健

  富士通株式会社

• 石田 充

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 下山 峰史

  (株)富士通研究所

• 下山 峰史

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中川 剛二

  富士通株式会社

• 山崎 進

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 中川 剛二

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通研

• 大坪 孝二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 水野 章敏

  学習院大学理学部

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構

• 田中 克

  NHK放送技術研究所

• 島村 清史

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 田渕 雅夫

  名大VBL

• 木村 秀夫

  物材研

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 内山 裕士

  JASRI

• 島村 清史

  独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター

• 島村 清史

  (独)物質・材料研究機構 物質研究所

• 島村 清史

  物材研

• 安達 千波矢

  九大未来化学

• 和田 隆博

  龍谷大理工

• 神野 伊策

  京大

• 三宅 秀人

  三重大工

• 木村 秀夫

  物材機構

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所

• 酒井 朗

  大阪大学

• 江川 満

  富士通研究所

• 島村 清史

  物材機構

• 水野. 章敏

  学習院大学理学部物理学科

• 田中 有

  技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構

• 木村 秀夫

  NIMS

• 菅原 充

  (株)富士通研究所

• 神野 伊策

  松下電器産業(株)中央研究所

• 神野 伊策

  京大院工

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

• 小野 春彦

  神産技セ

• 鍋谷 暢一

  山梨大

• 五明 明子

  NEC

• 酒井 朗

  阪大

• 小椋 厚志

  明大

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 西尾 譲司

  東芝

• 松原 浩司

  産総研

• 反保 衆志

  産総研

• 立岡 浩一

  静岡大

• 島村 清史

  NIMS

• 鍋谷 暢一

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 和田 隆博

  龍谷大

• 高林 和雅

  (株)富士通研究所

• 早川 明憲

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 五明 明子

  NEC基礎研

• 土屋 朋信

  日立中研

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 難波江 宏一

  Nec

• 三宅 秀人

  三重大

• 土屋 朋信

  日立

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• 末益 崇

  筑波大

• 高林 和雄

  (株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 安達 千波矢

  九大

• 田渕 雅夫

  名大

• 島村 清史

  物質・材料研究機構

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 羽鳥 伸明

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中川 剛仁

  (株)富士通研究所

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構応用結晶科学グループ

• 田中 克

  Nhk

• 宇佐美 徳隆

  東北大

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 近藤 康洋

  Ntt

• 鵜殿 治彦

  茨城大

• 水野 章敏

  学習院大

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所:科学技術振興機構(jst-crest)

• 反保 衆志

  産業技術総合研究所

• 安岡 奈美

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:(株)富士通研究所

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• 奥村 滋一

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 羽鳥 伸明

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

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著作論文

• 結晶成長技術
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
• C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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• C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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