末益 崇 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

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概要

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• 筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻の論文著者

関連著者

• 末益 崇

  筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

• SUEMASU Takashi

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• HASEGAWA Fumio

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Suemasu Takashi

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• HASEGAWA Fumio

  Tohoku University of Art and Design

• Hasegawa Fumio

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• SUEMASU Takashi

  Institlite of Materials Science, University of Tsukuba

• HASEGAWA Fumio

  Institlite of Materials Science, University of Tsukuba

• 長谷川 文夫

  筑波大学

• Takakura K

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 長谷川 文夫

  筑波大学物理工学系

• 末益 崇

  筑波大学大学院・数理物質科学研究科

• HIROI Noriyoshi

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Hiroi Noriyoshi

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 末益 崇

  筑波大

• Fujii Toru

  General R&d Lab. Taiyo Yuden Co. Ltd.

• Minami Masato

  The Authors Are With The Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Minami M

  Department Of Microbiology Kyoto Prefectural University Of Medicine

• Minami Masato

  Wildlife Research Center

• FUJII Takashi

  Central Research Institute of Electric Power Industry

• TAKAKURA Ken-ichiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Fujii T

  Toyohashi Univ. Technol. Toyohashi Jpn

• INOMATA Yuya

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• 末益 崇

  筑波大学 物理工学系

• Fujii Tetsuo

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Fujii Toshio

  Fujitsu Laboratories Lid.

• Fujii Toshio

  Fujitsu Laboratories Limited

• Fujii T

  Central Research Institute Of Electric Power Industry

• Inomata Y

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Fujii Takashi

  Exploratory Research Laboratories Fujisawa Pharmaceutical Co. Ltd.

• 依田 眞一

  (独)宇宙航空研究開発機構

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構

• 小田原 修

  東京工業大学総合理工学研究科材料物理化学専攻

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 依田 真一

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 依田 眞一

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 依田 真一

  宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター

• 末益 崇

  筑波大学物理工学系

• 小田原 修

  東京工業大学

• 金子 将士

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• MORITA Kousuke

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• KOBAYASHI Michitaka

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• NAKAMURA Tomoyuki

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• 飯倉 祐介

  筑波大学 物理工学系

• 高倉 健一郎

  筑波大学 物理工学系

• Inomata Yuya

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Nakamura Tomoyuki

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• SUNABA Kenji

  Institute of Materials Science, University of Tsukuba

• MINAMI Masato

  Institute of Materials Science, University of Tsukuba

• IIKURA Yusuke

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Iikura Yusuke

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 鵜殿 治彦

  茨城大

• Sunaba Kenji

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)

• SUNABA Kenji

  Institlite of Materials Science, University of Tsukuba

• 辛 埴

  東大物性研

• 水野 章敏

  学習院大学理学部

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構

• 森 嘉久

  岡山理大理

• 知京 豊裕

  物質材料研究機構(NIMS)

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 南 正人

  麻布大

• 田中 克

  NHK放送技術研究所

• 島村 清史

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 田渕 雅夫

  名大VBL

• 木村 秀夫

  物材研

• 今井 庸二

  物質工学工業技術研究所

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 内山 裕士

  JASRI

• 島村 清史

  独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター

• 島村 清史

  (独)物質・材料研究機構 物質研究所

• 島村 清史

  物材研

• 安達 千波矢

  九大未来化学

• 和田 隆博

  龍谷大理工

• 神野 伊策

  京大

• 三宅 秀人

  三重大工

• 木村 秀夫

  物材機構

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 小林 直人

  電総研

• 森 嘉久

  岡山理科大学理学部 基礎理学科

• 樋口 透

  東理大理

• 塚本 桓世

  東理大理

• 今井 庸二

  (独)産業技術総合研究所

• 塚本 桓世

  SPring-8

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所

• 南 正人

  NPO法人ピッキオ

• 酒井 朗

  大阪大学

• 鵜殿 治彦

  茨城大学工学部電気電子工学科

• 江川 満

  富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 島村 清史

  物材機構

• 水野. 章敏

  学習院大学理学部物理学科

• アヘメト パールハット

  物質・林料研究機構物質研

• 財部 健一

  岡理大理

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 木村 秀夫

  NIMS

• 神野 伊策

  松下電器産業(株)中央研究所

• 小原 明

  電総研

• 神野 伊策

  京大院工

• 土屋 朋信

  日立製作所中央研究所

• 小野 春彦

  神産技セ

• 鍋谷 暢一

  山梨大

• 五明 明子

  NEC

• 酒井 朗

  阪大

• 小椋 厚志

  明大

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 西尾 譲司

  東芝

• 松原 浩司

  産総研

• 反保 衆志

  産総研

• 立岡 浩一

  静岡大

• 島村 清史

  NIMS

• 鍋谷 暢一

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• Ikura Yoshihiro

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 和田 隆博

  龍谷大

• 五明 明子

  NEC基礎研

• 土屋 朋信

  日立中研

• 掛本 博文

  東理大理

• 牧田 雄之助

  電総研

• 桜木 史朗

  ユニオンマテリアル(株)

• 難波江 宏一

  Nec

• 三宅 秀人

  三重大

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 成毛 環美

  物質材料研究機構

• アヘメト パールハット

  物質材料研究機構

• 朱 敏

  華南理工大学電気・機械工学利

• 土屋 朋信

  日立

• 財部 健一

  岡山理科大学

• 住田 行常

  岡山理科大学

• 井貝 智行

  岡山理科大学

• 寺西 良太

  岡山理科大学

• 南 正人

  Picchio/星野ワイルドライフリサーチセンター

• Seki Naoki

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 安達 千波矢

  九大

• 住田 行常

  岡山理大理

• 田渕 雅夫

  名大

• 島村 清史

  物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 木村 秀夫

  物質・材料研究機構応用結晶科学グループ

• 今井 庸二

  産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門

• SAIDA Morihiko

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• SASAKI Masahiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• IZAWA Takamasa

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• NEGISHI Yoichiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• 長谷川 文夫

  筑波大学 物理工学系

• Izawa Takamasa

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Morita Kousuke

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 田中 克

  Nhk

• 宇佐美 徳隆

  東北大

• Negishi Yoichiro

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Kobayashi Michitaka

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• 近藤 康洋

  Ntt

• Tsuchiya H

  Toshiba Corp. Kawasaki Jpn

• TSUCHIYA Harutoshi

  Institute of Materials Science, University of Tsukuba

• 南 正人

  株式会社ピッキオ

• IIKURA Yuusuke

  Institute of Materials Science, University of Tsukuba

• 森 嘉久

  岡山理科大学理学部

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• HASEGAWA Fumio

  The authors are with the Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• SUEMASU Takashi

  The authors are with the Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• 水野 章敏

  学習院大

• Tsuchiya Harutoshi

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

• Higuchi T

  東理大理

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所:科学技術振興機構(jst-crest)

• 反保 衆志

  産業技術総合研究所

• 南 正人

  ワイルドライフコミュニティ研究所

• MINAMI Masato

  Department of Biology, Osaka City University

• TAKAKURA Ken'ichiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Takamura Ken-ichiro

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• TSUCHIYA Harutoshi

  Institlite of Materials Science, University of Tsukuba

• 財部 健一

  岡山理科大

• 鵜殿 治彦

  茨城大学

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著作論文

• 結晶成長技術
• Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
• CS-12-8 シリコンナノフォトニクスへの期待(CS-12. 次世代ナノ技術と情報通信, エレクトロニクス2)
• 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
• Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
• Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
• 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
• Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility β-FeSi_2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios
• 多元系シリサイドの新展開 : 半導体BaSi_2を例に
• Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics
• Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_Sr_xSi_2
• Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Thin Films on Si(111) Substrates by Reactive Deposition Epitaxy
• Epitaxial Growth of Si-Based Ternary Alloy Semiconductor Ba_Sr_xSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
• Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
• 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2の現状と将来展望
• 鉄シリサイド光デバイスの最前線 (特集 機能に富んだ材料シリコン)
• Direct Growth of [100]-Oriented High-Quality β-FeSi_2 Films on Si(001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy(Semiconductors)
• Donor and Acceptor Levels in Undoped β-FeSi_2 Films Grown on Si (001) Substrates : Semiconductors
• Room Temperature 1.6 μm Electroluminescence from a Si-Based Light Emitting Diode with β-FeSi_2 Active Region
• 環境にやさしい直接遷移型半導体β-FeSi_2の研究の現状と将来展望
• Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si(001)by High-Temperature Annealing
• 分子線エピタキシー法によるβ-FeSi_2球のSi中埋込み構造作製と高温アニールによる赤外フォトルミネッセンスの増大
• 熱反応堆積法を利用した赤外発光β-FeSi2球及び高移動度β-FeSi2膜の作製:高温アニールによる特性改善 (〈特集〉環境半導体)
• Growth of Continuous and Highly (100)-Oriented β-FeSi_2 Films on Si(001) from Si/Fe Multilayers with SiO_2 Capping and Templates
• Influence of As Autodoping from GaAs Substrates on Thick Cubic GaN Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
• One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000℃ on GaAs (111) Substrates(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
• Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy
• Improvement of 1.5 μm Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls in Si by High Temperature Annealing
• Photoluminescence from Reactive Deposition Epitaxy (RDE) Grown β-FeSi_2 Balls Embedded in Si Crystals

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