木下 恭一 | 宇宙航空研究開発機構
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概要
関連著者
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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足立 聡
Jaxa
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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緒方 康行
宇宙航空研究開発機構
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緒方 康行
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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松本 聡
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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足立 聡
宇宙航空研究開発機構
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村松 祐治
(株)エイ・イー・エス
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依田 真一
宇宙開発事業団
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木下 恭一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究システム
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鶴 哲也
(株)エイ・イー・エス
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松本 聡
宇宙開発事業団
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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足立 聡
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター
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越川 尚清
宇宙航空研究開発機構
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越川 尚清
宇宙開発事業団
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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岩井 正行
株式会社エイ・イー・エス
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宮田 浩旭
(株)エイ・イー・エス
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松本 聡
独立行政法人宇宙航空研究開発機構
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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加藤 浩和
宇宙開発事業団
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正木 匡彦
宇宙航空研究開発機構
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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正木 匡彦
芝浦工業大学
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中塚 理
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学
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山羽 隆
名古屋大学大学院工学研究科
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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中村 裕彦
宇宙航空研究開発機構宇宙環境利用推進センター
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鶴 哲也
株式会社エイ・イー・エス
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村松 祐治
株式会社エイ・イー・エス
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緒方 康行
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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花上 康宏
宇宙開発事業団
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所iss科学プロジェクト室
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構
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前川 透
東洋大
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前川 透
東洋大学工学部コンピュテーショナル情報工学科
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夏井坂 誠
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所ISS科学プロジェクト室
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岩井 正行
(株)エイ・イー・エス
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中村 裕彦
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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石川 毅彦
宇宙航空研究開発機構
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吉崎 泉
宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
NTT基礎研
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青木 拓克
フルウチ化学 (株)
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山本 智
フルウチ化学 (株)
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細川 忠利
フルウチ化学 (株)
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松島 正明
フルウチ化学 (株)
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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正木 匡彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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小田原 修
東京工業大学総合理工学研究科材料物理化学専攻
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構(jaxa)宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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前川 透
東洋大学
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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宮田 浩旭
株式会社エイ・イー・エス
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末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
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末益 崇
筑波大学大学院・数理物質科学研究科
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夏井坂 誠
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター
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余 建定
宇宙開発事業団
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小田原 修
東京工業大学
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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金子 将士
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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夏井坂 誠
宇宙開発事業団
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吉崎 泉
宇宙航空研究開発機構 宇宙科研
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松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
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山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
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細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
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狩野 文良
Ntt
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正木 匡彦
宇宙開発事業団
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吉崎 泉
JAXA
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荒井 康智
宇宙航空研究開発機構
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門脇 昭夫
東京工業大学大学院
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 宇宙環境利用科学研究系
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稲富 裕光
JAXA
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伊丹 俊夫
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究システム
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兼子 稔
石川島ジェットサービス株式会社宇宙部
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天野 真一
石川島播磨重工業株式会社宇宙事業部
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深沢 智晴
石川島ジェットサービス株式会社宇宙部
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荒井 義人
石川島播磨重工業株式会社宇宙事業部
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後藤 一将
石川島播磨重工業株式会社宇宙事業部
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小木曽 秋夫
宇宙開発事業団宇宙実験グループ
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中村 富久
宇宙開発事業団宇宙実験グループ
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中村 裕広
宇宙開発事業団宇宙実験グループ
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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渡辺 孝夫
Ntt基礎研
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木下 恭一
NASDA, NTT
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正木 匡彦
Japan Aerospace Exploration Agency
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石川 毅彦
Japan Aerospace Exploration Agency
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伊丹 俊夫
宇宙開発事業団
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近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室
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依田 真一
Nasda
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宮田 浩旭
東工大院
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植田 稔晃
宇宙航空研究開発機構
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田中 涼太
(株)エイ・イー・エス
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小田原 修
東工大院
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依田 眞一
東工大院
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依田 眞一
Japan Aerospace Exploration Agency
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前川 透
東洋大工
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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依田 眞一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム
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稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構・宇宙科学研究本部
-
中村 富久
宇宙開発事業団 宇宙輸送システム本部
-
前川 透
東洋大学工学部
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依田 真
宇宙航空研究開発機構
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
-
越川 尚清
宇宙航空研究開発機構 筑波宇宙センター
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渡辺 孝夫
NTTフォトニクス研
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中村 裕彦
(株)三菱総合研究所 先端科学研究センター
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荒井 義人
石川島播磨重工業 宇宙環境利用システム部
-
荒井 義人
石川島播磨重工(株)
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前川 透
東洋大学 工学部
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平岡 良章
東洋大
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松本 聡
東洋大学
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前田 浩二
東洋大学
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加藤 浩和
NASDA
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木下 恭一
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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足立 聡
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
-
高柳 昌弘
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
-
林 義雄
Advanced Engineering Services Co., Ltd.
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兼子 稔
Advanced Engineering Services Co., Ltd.
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深澤 智晴
Ishikawajima Jet Service Co.
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木下 恭一
NTT物性科学基礎研
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中村 富久
宇宙開発事業団
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中村 裕広
宇宙開発事業団 宇宙環境利用システム本部
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岩井 正行
(株) エー・イー・エス
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鶴 哲也
(株) エー・イー・エス
-
村松 祐治
(株) エー・イー・エス
-
兼子 稔
Advanced Engineering Services Co. Ltd.
-
中村 裕広
宇宙開発事業団
-
船井 睦
宇宙航空研究開発機構
-
天野 真一
石川島播磨重工業(株)
-
船井 睦
宇宙開発事業団
-
林 義雄
(株)エイ・イー・エス
-
清野 悠
(株)エイ・イー・エス
-
林 義雄
Advanced Engineering Services Co. Ltd.
-
中村 裕彦
(株)三菱総合研究所
-
松本 聡
宇宙開発事業団 宇宙環境離京研究センター
-
荒井 昌和
東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ
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川口 悦弘
NTTエレクトロニクス株式会社
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後藤 一将
石川島播磨重工(株)
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門脇 昭夫
東京工業大学総合理工学研究科
著作論文
- 25aA01 飽和溶融帯移動法における成長速度の数値解析(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- (第3回宇宙利用の科学に関する国際会議)開催報告
- 宇宙授業のパイオニア毛利宇宙飛行士の理科実験
- 混晶育成における組成均一性と組成的過冷却
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法により育成したφ2mmSi_Ge_均一組成単結晶の結晶学的特性の評価
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone) 法による均一組成Si_Ge_単結晶成長
- 25aA07 In_xGa_As結晶成長における過冷却と過飽和(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成SiGe結晶成長
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成In_Ga_As単結晶育成(微小重力環境を利用した結晶成長)
- 微小重力場における均質組成InGaAsの結晶育成
- 溶液内の溶質濃度勾配緩和におよぼす重力加速度の影響
- Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
- Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
- InAs-GaAs相互拡散係数測定時における砒素抜け防止対策
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3420 飽和溶融帯移動法における二次元性低減に関する検討(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- TLZ (Traveling Liquidus-Zone) 法によるIn_Ga_As板状結晶の育成
- 混晶系結晶成長における過冷却と過飽和
- 傾斜濃度法による均一組成In_XGa_As単結晶の育成-地上予備実験-
- シアーセル法による拡散実験のガラス封止技術
- 均質組成化合物半導体単結晶育成法の検討
- In_Ga_xAs結晶成長における組成的過冷却(半導体結晶成長I)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による混晶系化合物半導体(In_XGa_As)の高精度組成制御
- TLZ法における数値解析の信頼性検討と温度勾配の推定
- 結晶成長実験における試料内部温度分布測定
- 微小重力環境を利用した混晶半導体In_Ga_Asの均一組成単結晶育成条件の検討
- 単結晶成長のための界面形状制御に関する数値解析
- 傾斜組成部分溶融法によるIn_Ga_As均一組成単結晶の育成
- InGaAs結晶成長のための熱物性の測定
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価