緒方 康行 | 宇宙航空研究開発機構
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概要
関連著者
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緒方 康行
宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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足立 聡
Jaxa
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緒方 康行
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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足立 聡
宇宙航空研究開発機構
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鶴 哲也
(株)エイ・イー・エス
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村松 祐治
(株)エイ・イー・エス
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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越川 尚清
宇宙航空研究開発機構
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越川 尚清
宇宙開発事業団
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岩井 正行
株式会社エイ・イー・エス
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松本 聡
宇宙航空研究開発機構
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宮田 浩旭
(株)エイ・イー・エス
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依田 真一
宇宙開発事業団
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松本 聡
独立行政法人宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究システム
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足立 聡
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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鶴 哲也
株式会社エイ・イー・エス
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村松 祐治
株式会社エイ・イー・エス
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緒方 康行
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所iss科学プロジェクト室
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構
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正木 匡彦
宇宙航空研究開発機構
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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正木 匡彦
芝浦工業大学
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石川 毅彦
宇宙航空研究開発機構
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吉崎 泉
宇宙航空研究開発機構
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松本 聡
宇宙開発事業団
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宮田 浩旭
株式会社エイ・イー・エス
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岩井 正行
(株)エイ・イー・エス
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吉崎 泉
宇宙航空研究開発機構 宇宙科研
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吉崎 泉
JAXA
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門脇 昭夫
東京工業大学大学院
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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渡辺 孝夫
Ntt基礎研
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正木 匡彦
Japan Aerospace Exploration Agency
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石川 毅彦
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
Japan Aerospace Exploration Agency
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中村 裕彦
宇宙航空研究開発機構宇宙環境利用推進センター
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前川 透
東洋大
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前川 透
東洋大学工学部
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前川 透
東洋大学工学部コンピュテーショナル情報工学科
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依田 真
宇宙航空研究開発機構
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越川 尚清
宇宙航空研究開発機構 筑波宇宙センター
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夏井坂 誠
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所ISS科学プロジェクト室
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渡辺 孝夫
NTTフォトニクス研
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中村 裕彦
(株)三菱総合研究所 先端科学研究センター
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木下 恭一
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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足立 聡
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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高柳 昌弘
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
-
中村 裕彦
(株)三菱総合研究所
-
門脇 昭夫
東京工業大学総合理工学研究科
著作論文
- 25aA01 飽和溶融帯移動法における成長速度の数値解析(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone) 法による均一組成Si_Ge_単結晶成長
- 25aA07 In_xGa_As結晶成長における過冷却と過飽和(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成SiGe結晶成長
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成In_Ga_As単結晶育成(微小重力環境を利用した結晶成長)
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3420 飽和溶融帯移動法における二次元性低減に関する検討(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- TLZ (Traveling Liquidus-Zone) 法によるIn_Ga_As板状結晶の育成
- 混晶系結晶成長における過冷却と過飽和
- In_Ga_xAs結晶成長における組成的過冷却(半導体結晶成長I)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による混晶系化合物半導体(In_XGa_As)の高精度組成制御
- TLZ法における数値解析の信頼性検討と温度勾配の推定