荒井 昌和 | NTTフォトニクス研
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概要
関連著者
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Ntt
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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緒方 康行
宇宙航空研究開発機構
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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八坂 洋
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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足立 聡
Jaxa
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保井 孝子
NTTフォトニクス研究所
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菊池 順裕
NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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保井 孝子
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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緒方 康行
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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八坂 洋
Nttフォトニクス研
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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足立 聡
宇宙航空研究開発機構
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正木 匡彦
宇宙航空研究開発機構
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正木 匡彦
芝浦工業大学
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所iss科学プロジェクト室
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石川 毅彦
宇宙航空研究開発機構
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高柳 昌弘
宇宙航空研究開発機構
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青木 拓克
フルウチ化学 (株)
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山本 智
フルウチ化学 (株)
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細川 忠利
フルウチ化学 (株)
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松島 正明
フルウチ化学 (株)
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渡辺 孝夫
Ntt基礎研
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正木 匡彦
Japan Aerospace Exploration Agency
-
石川 毅彦
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室
-
依田 眞一
Japan Aerospace Exploration Agency
-
渡辺 孝夫
NTTフォトニクス研
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木下 恭一
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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足立 聡
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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高柳 昌弘
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
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松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
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山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
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細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
著作論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送