藤澤 剛 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  NTTフォトニクス研

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 川口 悦弘

  NTTフォトニクス研

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  Ntt フォトニクス研

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  Nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 敏夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小林 亘

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 三条 広明

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 依田 眞一

  (独)宇宙航空研究開発機構

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構

• 依田 真一

  宇宙航空研究開発機構

• 依田 真一

  JAXA

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室

• 湯田 正宏

  NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 依田 真一

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 依田 眞一

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 依田 真一

  宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター

• 依田 真一

  宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ

• 三条 弘明

  NTTフォトニクス研究所

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT Photonics Laboratories

• 川口 悦弘

  NTT Photonics Laboratories

• 布谷 伸浩

  NTT Photonics Laboratories

• 大木 明

  NTT Photonics Laboratories

• 高畑 清人

  NTT Photonics Laboratories

• 伊賀 龍三

  NTT Photonics Laboratories

• 田所 貴志

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTT フォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  NTT

• 上田 悠太

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 福山 裕之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高橋 浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 中村 誠

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 高橋 浩

  NTTフォトニクス研究所

• 石川 光映

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大山 貴晴

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大礒 義孝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高橋 浩

  Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部

• 三条 広明

  Ntt未来ねっと研究所

• 高橋 浩

  NTTエレクトロニクス

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 高橋 浩

  Nttフォトニクス研究所 日本電信電話株式会社

• 小木曽 義弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 中島 紀伊知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTT Photonics Laboratories

• 綱島 聡

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 脇田 斉

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)

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著作論文

• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• R&Dホットコーナー ソリューション 100ギガビットイーサネット用変調器集積光源
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-5 高速変調EADFBレーザのフリップチップ実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-49 モノリシック集積光源用の小型MUXのための反射型InPトランスバーサルフィルタ(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
• 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)

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