川口 悦弘 | Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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概要
関連著者
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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狩野 文良
Ntt
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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硴塚 孝明
NTTフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
Nttフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
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保井 孝子
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT Photonics Laboratories
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川口 悦弘
NTT Photonics Laboratories
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布谷 伸浩
NTT Photonics Laboratories
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大木 明
NTT Photonics Laboratories
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高畑 清人
NTT Photonics Laboratories
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伊賀 龍三
NTT Photonics Laboratories
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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保井 孝子
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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青木 拓克
フルウチ化学 (株)
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山本 智
フルウチ化学 (株)
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細川 忠利
フルウチ化学 (株)
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松島 正明
フルウチ化学 (株)
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
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山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
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大橋 弘美
NTT フォトニクス研究所
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細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
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川口 悦弘
NTT
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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菊池 順裕
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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納富 雅也
NTT物性基礎研
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新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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八坂 洋
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室
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保井 孝子
NTTフォトニクス研究所
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菊池 順裕
NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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八坂 洋
Nttフォトニクス研
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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角倉 久史
Ntt物性基礎研究所
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新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
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納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
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陳 錦慧
NTTフォトニクス研究所
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野崎 謙悟
NTT物性基礎研究所
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荒井 昌和
東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ
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川口 悦弘
NTTエレクトロニクス株式会社
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狩野 文良
NTT Photonics Laboratories
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
著作論文
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))