野崎 謙悟 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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概要
関連著者
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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野崎 謙悟
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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谷山 秀昭
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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野崎 謙悟
NTTナノフォトニクスセンタ、NTT物性科学基礎研究所
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納富 雅也
NTTナノフォトニクスセンタ:NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
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納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
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野崎 謙悟
NTT物性基礎研究所
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藤井 拓郎
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
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倉持 栄一
NTTナノフォトニクスセンタ:NTT物性科学基礎研究所
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武田 浩司
NTTナノフォトニクスセンタ
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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松尾 慎治
NTTナノフォトニクスセンタ、NTTフォトニクス研究所
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礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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納富 雅也
NTT物性基礎研
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新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
Nttフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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須崎 泰正
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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角倉 久史
Ntt物性基礎研究所
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陳 錦慧
NTTフォトニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:ナノフォトニクスセンタ
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武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:ナノフォトニクスセンタ
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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佐藤 具就
NTTナノフォトニクスセンタ、NTTフォトニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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納富 雅也
NTTナノフォトニクスセンタ、NTT物性科学基礎研究所
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新家 昭彦
NTTナノフォトニクスセンタ、NTT物性科学基礎研究所
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高橋 亮
NTTフォトニクス研究所
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谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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納富 雅也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
著作論文
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10.フォトニック結晶によるfJ/bit集積ナノフォトニクス(ナノデバイス)
- フォトニック結晶ナノ共振器による光ランダムアクセスメモリの研究
- C-4-6 埋込み活性層を有するフォトニック結晶レーザの高温動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 超低消費エネルギーで動作する電流注入フォトニック結晶レーザ(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-1 フォトニック結晶ナノ共振器による低消費パワー光RAM(C-3.光エレクトロニクス)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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- 微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
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