微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
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概要
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InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7μm程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したpin光ディテクタを作製した.DC変換効率は約1A/Wと高く,また動特性として40Gb/sのNRZアイパターンと約30GHzの3dB遮断帯域が観測された.これらの結果は,フォトニック結晶による強い光閉じ込めと,BH構造によるキャリア生成領域とpin接合の微小化により,高い量子効率,高速性と微小な静電容量が両立可能であることを示唆しており,高い負荷抵抗の接続による高感度な光レシーバ,ならびに低消費パワー光リンクへの応用可能性を示した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-16
著者
-
野崎 謙悟
NTTナノフォトニクスセンタ、NTT物性科学基礎研究所
-
納富 雅也
NTTナノフォトニクスセンタ:NTT物性科学基礎研究所
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
藤井 拓郎
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
-
倉持 栄一
NTTナノフォトニクスセンタ:NTT物性科学基礎研究所
-
武田 浩司
NTTナノフォトニクスセンタ
-
松尾 慎治
NTTナノフォトニクスセンタ:NTTフォトニクス研究所
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