電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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我々はCMOSチップ上/チップ間光通信の実現を目指し、波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶(LEAP)レーザの開発を進めている。これらの光通信には低消費エネルギーで動作する光源が求められる。LEAPレーザは光の波長程度の寸法に光とキャリアを閉じ込めることにより、低しきい値電流かつ低消費エネルギーで動作する特徴がある。しかしこれまでの素子では活性層周囲に電流のリークが存在していた。今回電流狭窄溝を有する共振器を設計し、あらゆる半導体レーザの中で最も低いしきい値電流4.8μAと、10Gb/sにおける消費エネルギー4.4fJ/bitを報告する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
谷山 秀昭
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
野崎 謙悟
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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