C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
岡田 顕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岡田 頭
Nttフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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