高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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高受光感度、低暗電流の新しい中赤外光検出器を開発した。素子はInAs/InGaAs歪多重量子井戸(MQW)吸収層がコレクタ中の低電界領域に挿入されたヘテロ接合光トランジスタ(HPT)より成る。基本的な層構造は、光通信デバイスにおいて成熟したInGaAsP材料系を用いて作製した。低電界中の歪InAsは量子閉じ込め効果を高め、2.3μm波長で高い吸収係数をもたらす。MQW吸収層中で発生した光電流は電流利得倍され、受光感度は10A/W以上の高い値を示した。さらに、低電界領域中の小体積MQW層は室温で低暗電流を与えることになる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-20
著者
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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