OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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2.3μm波長DFB レーザで推定寿命10^5h以上(@45℃3mW)の長期信頼性を実証した。高歪みのInAs活性層であっても、従来の埋込みレーザと同じ拡散プロセスによって劣化することがわかった。さらに、従来のt^<0.5>劣化を逸脱し安定動作を示すデバイスを光励起電流法により分析した。その結果、エイジングによりp-InP埋込み層のキャリア密度が減少し、これによりリーク電流が抑制され動作電流が安定化したことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-12-04
著者
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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