InGaAsP/InP系温度無依存波長フィルタ
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概要
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半導体レーザや半導体波長フィルタは、その材料特性から素子温度の変化に対して約1A/℃の温度勾配で発振波長やフィルタ波長が変化する。そのため、波長多重通信用デバイスとして用いるためには温度安定化のため複雑な制御回路を導入する必要があった。一方、負の屈折率温度勾配を持つ材料をシリカ系導波路に導入して温度特性を改善した例が報告されているが、半導体ではこの特性を有する材料が極めて限られているため、InGaAsP/InP系半導体でこれを実現させるのは困難であると考えられていた。そこで我々は、LDやPDと将来集積可能なInGaAsP/InP系温度無依存波長フィルタを今回新たに提案する。また、本提案素子において良好な素子特性が得られたので、併せて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
田野辺 博正
Ntt フォトニクス研
-
吉國 裕三
NTT光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
-
田野辺 博正
NTT光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
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