1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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半導体レーザの基板として均一組成の板状In_xGa_<1-x>As(x:0.10-0.13)単結晶育成に世界で初めて成功した.用いた方法はTraveling liquidus-zone(TLZ)法という新しく開発した方法である.TLZ法で高品質結晶を製造するためのキーポイントは融液内の対流を抑制することと,一定な温度勾配を保つことであった.大型化を進めた結果,50×50mm^2以上の単結晶領域を有する基板製造に成功した.InGaAs基板上1.3μm帯レーザは高い出力安定性を示すとともに優れた伝送特性を示し,三元基板使用の利点を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
JAXA
-
青木 拓克
フルウチ化学 (株)
-
山本 智
フルウチ化学 (株)
-
細川 忠利
フルウチ化学 (株)
-
松島 正明
フルウチ化学 (株)
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
-
依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
-
荒井 昌和
東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ
-
川口 悦弘
NTTエレクトロニクス株式会社
-
松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
-
山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
-
細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
-
狩野 文良
Ntt
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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