InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計自由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を目指したTraveling Liquidus-Zone(TLZ)法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基板上に単一横モードリッジレーザを作製し、動特性評価を行った。10Gbpsの明瞭なアイ開口を確認し、シングルモードファイバを通して20kmのエラーフリー伝送を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
JAXA
-
荒井 昌和
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
-
依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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