小林 亘 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
-
上田 悠太
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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八坂 洋
東北大学電気通信研究所
-
三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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石川 光映
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
齊藤 陽介
東北大学電気通信研究所
-
三枝 慈
東北大学電気通信研究所
-
八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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八坂 洋
Nttフォトニクス研
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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八坂 洋
NTTフォトニクス研究所
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山本 卓央
東北大学電気通信研究所
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人見 晃太郎
東北大学電気通信研究所
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石原 啓樹
東北大学電気通信研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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白鳥 智史
東北大学電気通信研究所
著作論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- 1.3/1.55μmEADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3/1.55μmEADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作 (光エレクトロニクス)
- 1.3/1.55μmEADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作 (光通信システム)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-4 半導体マッハツェンダ光変調器を用いた光周波数コムブロック生成(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 光制御型受動帰還レーザの周波数応答特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-4-37 光制御型パッシブフィードバックレーザの周波数応答特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 100GbE用低損失合波器集積型電界吸収型変調器集積光源アレー(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 100GbE用低損失合波器集積型電界吸収型変調器集積光源アレー(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 100GbE用低損失合波器集積型電界吸収型変調器集積光源アレー(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 100GbE用低損失合波器集積型電界吸収型変調器集積光源アレー(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 100GbE用低損失合波器集積型電界吸収型変調器集積光源アレー(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- C-4-5 光制御型PFLの周波数応答特性II(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)