田所 貴志 | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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概要
関連著者
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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中村 誠
Ntt フォトニクス研
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中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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鈴木 安弘
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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首藤 義人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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遠藤 潤
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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須郷 満
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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石原 昇
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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黒崎 武
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 健児
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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天野 道之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
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三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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石原 昇
群馬大 大学院工学研究科
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山本 ミツ夫
Nttエレクトロニクス(株)光半導体事業部
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遠藤 潤
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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天野 道之
NTT 光エレクトロニクス研究所
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首藤 義人
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
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満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
中島 紀伊知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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金沢 慈
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
著作論文
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作