田所 貴志 | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学の論文著者

関連著者

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 竹下 達也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 中村 誠

  Ntt フォトニクス研

• 中村 誠

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 伊藤 敏夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 鈴木 安弘

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 首藤 義人

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 遠藤 潤

  日本電信電話(株) フォトニクス研究所

• 須郷 満

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 石原 昇

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 黒崎 武

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 健児

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 天野 道之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡安 雅信

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 黒崎 武志

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 三条 広明

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研究所

• 黒崎 武志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 黒崎 武志

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 石原 昇

  群馬大 大学院工学研究科

• 山本 ミツ夫

  Nttエレクトロニクス(株)光半導体事業部

• 遠藤 潤

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 天野 道之

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 首藤 義人

  日本電信電話(株) フォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 黒崎 武志

  日本電信電話(株) フォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  Ntt フォトニクス研

• 金澤 慈

  NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 佐藤 具就

  NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岸 健志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 岸 健志

  Nttフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤浬 剛

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• 荒井 昌和

  NTT東日本

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 中島 紀伊知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金沢 慈

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

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著作論文

• プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
• C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
• プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
• プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作

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