GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明瞭なアイ開口を確認した。また、更なる温度特性向上のために、pクラッド層の一部に電子障壁層を導入した構造のレーザを作製した。特性温度220K、最高発振温度200℃などの優れた特性を確認した。これらの結果からメタモルフィック成長技術を用いたGaAs基板上1.3μm帯レーザが高速・低消費電力なレーザ光源として有望であることを確認した。
- 2012-06-15
著者
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
関連論文
- C-4-16 VOA内蔵10Gb/s-APD光受信器の特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-50 波面整合法により設計した1.3/1.55μm波長スプリッタ(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-68 低損失にポート増設可能なPLC型波長選択スイッチ(光スイッチ,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 超高ΔPLC を用いた 12.5 GHz 間隔小型インタリーブ・フィルタ
- C-3-68 シングルチップ集積化超小型16ch V-AWGにおけるVOA-AWG間熱干渉の評価(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-90 CSP-PDスタック実装技術を用いたPLC一体集積32ch ROAMモジュール(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-87 サスペントディド狭リッジ構造を用いた超小型超低消費電力V-AWG(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-51 テーパー狭リッジ構造を用いた超低消費電力PLC光スイッチ(光スイッチ・変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- シリコンベンチPLCハイブリッド技術を用いたGE-PON用3波WDM光送受信モジュール(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-3-98 光素子チップスケールパッケージを用いたモジュラー型PLCハイブリッド集積WDMトランシーバ(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-100 石英系PLCを用いたインラインタップモニター付き集積型8ch可変光減衰器モジュール(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- C-3-91 PLCハイブリット集積技術を用いた3波WDM対応光送受信モジュール(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-61 モジュラー型PLCハイブリッド集積の実現に向けた光素子用シリコンチップスケールパッケージの開発(C-3. 光エレクトロニクス(導波路デバイス1), エレクトロニクス1)
- B-10-63 PLCハイブリッド集積技術を用いた3波WDM対応光送受信モジュールの動特性(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-3-102 PLC集積型垂直光路変換ミラーアレイの作製方法に関する検討(パッシブデバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-89 ダブルコア・スポットサイズ変換器を用いた超低損失小型AWG(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-17 石英系ガラス導波路の紫外光による屈折率・複屈折率制御(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-7 超高Δ導波路ダブルコアスポットサイズ変換器(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-4-14 高速VOAを搭載した10Gb/s-APD光受信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 石英系PLC型インターリーブフィルタ(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-3-106 波面整合法設計によるカプラをもちいた光4波長フィルタ(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-48 16ch半導体AWG-PDを用いたギガビットWDM信号同時受信特性
- C-3-38 MZI同期型広帯域AWGの低損失化(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-24 低損失フラットアサーマルAWG(AWG,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-82 フェムト秒レーザを用いた石英系平面型光波回路の3次元導波路インターコネクション(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低波長分散フラット・アレイ導波路格子型フィルタの検討
- 低波長分散フラット・アレイ導波路格子型フィルタの検討(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 低波長分散フラット・アレイ導波路格子型フィルタの検討(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 低波長分散フラット・アレイ導波路格子型フィルタの検討(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- C-3-91 石英系ガラス導波路の溝加工による紫外光感受性の制御
- ハイメサ導波路を用いた半導体アレー導波路格子の研究
- ハイメサ導波路を用いた半導体アレー導波路格子の研究
- C-3-13 幅広導波路によるPLC型スラントグレーティングの高効率化(C-3. 光エレクトロニクス(ファイバグレーティング・光導波路解析), エレクトロニクス1)
- C-3-81 積層型スポットサイズ変換器付き石英系導波路とLDの結合(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-30 石英系平面型光波回路におけるフェムト秒レーザ直接描画導波路の描画位置制御(C-3. 光エレクトロニクス(導波路設計・作製), エレクトロニクス1)
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 InP基板上n-i-p-n構造における位相変調効率のストライプ方向依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (光エレクトロニクス)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 高速変調EADFBレーザのフリップチップ実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高温動作・低消費電力化を実現するメタモルフィックレーザ (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-2 InP(110)基板上シングル電極駆動MZ光変調器の提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 InP(110)基板上シングル駆動MZ光変調器の高速・アサーマル動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-49 モノリシック集積光源用の小型MUXのための反射型InPトランスバーサルフィルタ(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)