GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明瞭なアイ開口を確認した。また、更なる温度特性向上のために、pクラッド層の一部に電子障壁層を導入した構造のレーザを作製した。特性温度220K、最高発振温度200℃などの優れた特性を確認した。これらの結果からメタモルフィック成長技術を用いたGaAs基板上1.3μm帯レーザが高速・低消費電力なレーザ光源として有望であることを確認した。
- 2012-06-15
著者
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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