金澤 慈 | 日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

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概要

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• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 三条 広明

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 伊藤 敏夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大礒 義孝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  Ntt フォトニクス研

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 岡田 顕

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大山 貴晴

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  Nttフォトニクス研究所

• 岡田 頭

  Nttフォトニクス研究所

• 進藤 隆彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 三条 弘明

  NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  NTTフォトニクス研究所

• 福島 誠治

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邉 啓

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山田 英一

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

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• 渡邊 啓

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• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡辺 啓

  住友ベークライト

• 狩野 文良

  Ntt

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 福山 裕之

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• 中村 誠

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• 保井 孝子

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• 山田 英一

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 菊池 順裕

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• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 荒井 昌和

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• 都築 健

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• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

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• 三条 広明

  Ntt未来ねっと研究所

• 那須 悠介

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 那須 悠介

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• 保井 孝子

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

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• 小木曽 義弘

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• 綱島 聡

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• 脇田 斉

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• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 神徳 正樹

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• 藤澤 剛

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• 石井 啓之

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• 金澤 慈

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• 金澤 慈

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著作論文

• C-4-16 VOA内蔵10Gb/s-APD光受信器の特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-14 高速VOAを搭載した10Gb/s-APD光受信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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• C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
• フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
• SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
• SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
• 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
• 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作

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