藤澤 剛 | 日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大山 貴晴
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
-
三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
-
進藤 隆彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
-
川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
上田 悠太
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
高橋 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
高橋 浩
NTTフォトニクス研究所
-
石川 光映
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
-
高橋 浩
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
-
高橋 浩
NTTエレクトロニクス
-
近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
高橋 浩
Nttフォトニクス研究所 日本電信電話株式会社
-
小木曽 義弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 紀伊知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
脇田 斉
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 高速変調EADFBレーザのフリップチップ実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-49 モノリシック集積光源用の小型MUXのための反射型InPトランスバーサルフィルタ(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-2 多粒子系の量子力学に基づく半導体量子構造光学特性解析技術(CS-5.光導波路・光デバイスシミュレーション技術の最新動向と今後の展望)
- C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 偏波多重を用いた100GbE用光送信モジュール(TOSA)(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)