山中 孝之 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTTフォトニクス研究所
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三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
上田 悠太
NTTフォトニクス研究所
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三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
-
松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
NTT東日本
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
著作論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- OFC/NFOEC2006速報 : 光デバイス関連(大容量伝送技術,超高速伝送技術,ラマン増幅技術,一般,OFC/NFOEC報告)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))