ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
100GbEでは、送信側において、1波当たり25-Gbit/sで動作する光源を4台用いる、マルチレーンLAN-WDM方式が採用されている。将来のポスト100GbEにおいても、マルチレーン方式の採用は必須と考えられるが、その際、1波当たりの伝送速度を向上することも波長多重数を減らし、送信モジュールのサイズを低減する観点から非常に重要と考えられる。我々は、これまでに100GbEへの適用が可能な、25-Gbit/s,1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザ(EADFBレーザ)の研究を行ってきたが、ポスト100Gシステムへの適用を目指し、EA変調器部分の更なる高速化設計を行った。試作したEADFBレーザはセミクール駆動(45℃)で、50-Gbit/s動作において40km伝送後まで明瞭なアイ開口を示した。また、EADFBレーザを4台モノリシック集積したチップを作製し、超小型の4ch集積型TOSAを試作し、1チャネルあたり40-Git/sの高速動作を確認したのでそれについても報告する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-10-18
著者
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
大木 明
NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTTフォトニクス研究所
-
三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
-
金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
上田 悠太
NTTフォトニクス研究所
-
三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
関連論文
- B-10-46 ガードインターバルを用いない偏波多重コヒーレントOFDMによる13.4Tb/s (134 x 111 Gb/s) 3,600km SMF伝送(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 医療センシング用140nm高速波長スイープ光源 (特集 センシング用レーザ光源技術)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-20 高結合係数回折格子を有する位相制御波長可変DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-33 DFBアレイ波長選択光源(TLA)の高出力高信頼動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-32 低消費電力高性能DFBアレイ波長選択光源モジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光を創る--光半導体集積化光源 (特集論文1 光ネットワークを創り支える光半導体集積技術)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 分布活性DFBレーザアレイのチャネル切り替えにおける熱波長ドリフトの抑制(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 波長可変レーザとInPマッハツェンダ変調器をハイブリッド集積した全C帯40Gbit/s DPSK波長可変送信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体マッハツェンダ変調器内蔵波長可変レーザモジュール(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 半導体AWGとその応用
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
- FrontierNetの動作実験 : 基本動作確認と周波数多重型バッファのBER測定
- 高速伝送用波長可変光源 (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
- 高機能波長可変光源技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- C-4-5 MZ変調器をモノリシック集積した波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長可変3電極DBRレーザの波長安定化の検討
- SSG-DBRレーザによる波長可変幅の拡大
- 櫛形電極DBRレーザ(TIE-DBR-LD)による単電極連続波長チューニング
- アプリケーションソフトウェア構成要素の個別監視を用いた通信サービス運用管理方式の一検討
- C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- チャープドグレーティングを集積した40GHzモード同期半導体レーザ
- C-3-88 SSG-DBRレーザの発振モードの安定化の検討(2)
- SSG-DBRレーザの発振モード・波長の安定化の検討
- 波長可変レーザの発振周波数安定化
- C-4-11 波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 60GHzモード同期半導体レーザの2モード動作
- 半導体波長可変レーザの研究動向
- 波長可変半導体レ-ザとそのフォトニクスイッチングへの応用 (特集「並列光情報処理」)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-3 狭間隔波長可変分布活性(TDA-)DFBレーザアレイによる高速(
- CS-5-2 多粒子系の量子力学に基づく半導体量子構造光学特性解析技術(CS-5.光導波路・光デバイスシミュレーション技術の最新動向と今後の展望)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- C-4-19 高速な高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)