1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレーションを実施した。その結果、変調器への注入光強度が大きくなるにつれ光吸収電流が増加し、それに伴うジュール熱の発生により変調器内の温度が数十度も上昇することがわかった。高光強度注入時の温度上昇に伴う変調器吸収端のレッドシフトによりレーザの発振波長との差(離調)が小さくなり、静的消光比が増大することを明らかにした。シミュレーションによる変調器消光比の計算結果は実験結果と良く一致し、電界吸収型変調器消光比にデバイス内の発熱が大きな影響を与えることを示している。
- 2010-08-19
著者
-
荒井 昌和
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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