小林 亘 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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高橋 亮
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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進藤 隆彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中原 達志
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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石川 光映
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
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藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小木曽 義弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 紀伊知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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谷山 秀昭
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
野崎 謙悟
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
-
武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
著作論文
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 超低消費エネルギーで動作する電流注入フォトニック結晶レーザ(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-2 100 Gbps級光パケットスイッチ実現に向けた電界吸収型変調器を集積した並列リング共振器波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)