松尾 慎治 | 日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
Nttフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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鈴木 博之
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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鈴木 博之
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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鈴木 博之
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
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鈴木 博之
(株)クラレ情報システム室
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鈴木 博之
静岡大学工学部
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野崎 謙悟
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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谷山 秀昭
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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武田 浩司
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社:ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社
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谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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吉國 裕三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鄭 錫煥
NTTフォトニクス研究所
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鄭 錫煥
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTT光エレクトロニクス研究所
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吉国 裕三
Nttフォトニクス研究所
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吉国 裕三
Ntt光エレクトロニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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吉國 裕三
日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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姜 海松
九州大学 総合理工学府
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三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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姜 海松
九州大学総合理工学府
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浜本 貴一
九州大学総合理工学府
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三条 広明
Nttフォトニクス研究所
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三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
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新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
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萩尾 拓真
九州大学総合理工学府
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三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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鶴田 一魁
宮崎大学工学部電気電子工学科
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
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茶円 豊
九州大学総合理工学府
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野崎 謙悟
NTT物性基礎研究所
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鶴田 一魁
九州大学総合理工学府
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地蔵堂 真
九州大学工学部
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鶴田 一魁
九州大学 総合理工学府
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地蔵堂 真
九州大学総合理工学府
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石井 哲好
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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納富 雅也
NTT物性基礎研
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新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
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北山 研一
大阪大学大学院工学研究科
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 里江子
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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バスタワロス ハニー・アヤド
九州大学 総合理工学府
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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笠谷 和生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
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バスタワロス ハニー・アヤド
九州大学総合理工学府
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布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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北山 研一
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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久保 徹朗
大阪大学大学院工学研究科
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角倉 久史
Ntt物性基礎研究所
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硴塚 幸明
NTTフォトニクス研究所
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陳 錦慧
NTTフォトニクス研究所
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浜本 貴一
九州大学工学部:九州大学総合理工学府
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北山 研一
大阪大学大学院
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納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
武田 浩司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社:ナノフォトニクスセンタ,日本電信電話株式会社
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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椛塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
納富 雅也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
長谷部 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研
-
松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
納富 雅也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
菊池 順裕
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
著作論文
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCS-2-7 周波数変調レーザと光フィルタリングを用いた高速長距離伝送技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-31 チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-3-114 チャープしたラダー干渉型フィルタの波長可変特性(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- ラダー干渉型フィルタを用いる半導体波長可変レーザ(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- チャープしたラダー干渉計構造を用いる波長可変フィルタ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- BCS-2-7 周波数変調レーザと光フィルタリングを用いた高速長距離伝送技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- Apodized Sampled Gratingを用いた高速波長可変フィルタ(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- Apodized Sampled Gratingを用いた高速波長可変フィルタ(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- チャープしたラダー干渉計構造を用いる波長可変フィルタ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-5 MZ変調器をモノリシック集積した波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-34 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-32 光RAM用集積メモリ素子のファイバアレイ光結合に関する予備的検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-2-8 超低消費電力フォトニック結晶レーザ(CI-2.家庭内ネットワーク〜インターコネクションに向けた短距離・高速光通信用デバイス・コンポーネント技術,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-31 光RAMバッファアドレス用InGaAsP/InP多モード干渉型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-35 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの低閾値電流(39mA)動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s, 180km伝送
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-3-44 単一波長アクティブMIMI双安定レーザーの全光ON-OFF動作(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 10.フォトニック結晶によるfJ/bit集積ナノフォトニクス(ナノデバイス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (光エレクトロニクス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (電子部品・材料)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (機構デバイス)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ (信頼性)
- C-4-13 波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 電流注入型フォトニック結晶レーザ (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- フォトニック結晶ナノ共振器による光ランダムアクセスメモリの研究
- 半導体光集積回路の進展と将来展望
- C-4-3 半導体マッハ・ツェンダ光変調器を用いたアーム間バイアス電圧調整による光サブキャリア生成(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 埋込み活性層を有するフォトニック結晶レーザの高温動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ECOC2012報告 : アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ECOC2012報告 : アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ECOC2012報告 : アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- CI-1-2 超低消費エネルギーで動作する電流注入フォトニック結晶レーザ(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-10 波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶レーザの低エネルギー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 100 Gbps級光パケットスイッチ実現に向けた電界吸収型変調器を集積した並列リング共振器波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)