納富 雅也 | NTT物性基礎研
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概要
関連著者
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納富 雅也
NTT物性基礎研
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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倉持 栄一
Ntt物性基礎研:jst-crest
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倉持 栄一
NTT物性科学基礎研究所
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倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
-
新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
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倉持 栄一
Ntt物性研
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新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
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枝川 圭一
東大生産研
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田辺 孝純
NTT物性科学基礎研究所
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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納富 雅也
Ntt物性基礎研:crest-jst
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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谷山 秀昭
NTT物性研
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枝川 圭一
東大 生産技研
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今川 成樹
東大生産研
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谷山 秀昭
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
谷山 秀昭
日本電信電話株式会社NTT物性化学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
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硴塚 孝明
NTTフォトニクス研究所
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田辺 孝純
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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枝川 圭一
東京大学生産技術研究所
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俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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新野 俊樹
東京大学生産技術研究所
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新野 俊樹
理化学研究所
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香川 豊
東京大学先端科学技術研究センター
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香川 豊
東大生研
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新野 俊樹
東大
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三木 聡
NTT物性科学基礎研究所
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吉良 剛
東京工業大学総合理工学研究科
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近藤 真吾
東海大学
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香川 豊
東京大学大学院工学系研究科
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香川 豊
東大先端研
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香川 豊
東大 先端科学技術研究セ
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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香川 豊
東京大学先端科学技術研究センター:(現)東京大学生産技術研究所
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香川 豊
東京大学生産技術研究所材料界面マイクロ工学研究センター
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守田 圭祐
東大生産研
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新野 俊樹
東大生産研
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
-
舘野 功太
NTT物性科学基礎研究所
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉川 豊
東大院総合
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山本 高行
東大院総合
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高橋 淳一
NTT通信エネルギー研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステム研
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Hughes Stephen
Ntt物性科学基礎研究所
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横浜 至
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 千春
NTT通信エネルギー研究所
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RAMMUNO Lora
Department of Physics, University of Ottawa
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高橋 淳一
日本電信電話株式会社 Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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Rammuno Lora
Department Of Physics University Of Ottawa
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鹿子 悟史
東大生産研
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玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所:nttエレクトロニクス
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舘野 功太
NTTフォトニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所
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舘野 功太
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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加藤 正夫
NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
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林 達哉
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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鳥井 寿夫
東大院総合
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So Y.
東大生産研
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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清水 薫
Ntt物性基礎研
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久我 隆弘
東大院総合文化
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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馬場 俊彦
横国大
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松尾 慎治
MTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
MTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
MTTフォトニクス研究所
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武居 弘樹
Ntt物性基礎研
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川嶋 貴之
(株)フォトニックラティス
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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横尾 篤
Ntt物性科学基礎研究所量子光物性研究部
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川上 彰二郎
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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松田 信幸
東北大通研
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川嶋 貴之
東北大学 電気通信研究所
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川上 彰二郎
東北大通研
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馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学府
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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久我 隆弘
東大院総合
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山田 浩治
NTT通信エネルギー研究所
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角倉 久史
Ntt物性基礎研究所
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馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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陳 錦慧
NTTフォトニクス研究所
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野崎 謙悟
NTT物性基礎研究所
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石倉 徳洋
横浜国立大学大学院・工学部
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石倉 徳洋
横国大:jst-crest
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
納富 雅也
Ntt物性科学基礎研究所
-
都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
-
松田 信幸
NTT物性基礎研
-
納富 雅也
NTT物性基礎研:NTTナノフォトニクスセ
-
松田 信幸
NTT物性基礎研:NTTナノフォトニクスセ
-
礒塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
著作論文
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 20pXK-8 単一原子検出用フォトニック結晶共振器の設計(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
- Siフォトニクスに向けたSi系フォトニック結晶材料
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,光物性)
- 27aXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 27pXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTG-2 フォトニッククリスタルスラブ構造からの発光の解析(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ナノプリント技術と有機機能性フォトニック結晶
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- C-3-75 フォトニック結晶導波路スローライトによる高分解能可変遅延とその応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光の断熱波長変換と共振器オプトメカニクス : 二層型フォトニック結晶を例に
- 光集積技術としてのフォトニック結晶
- 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
- 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同フォトニック結晶・超イオン導電体,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 28pPSB-66 フォトニック結晶連結共振器における強束縛モード分散の観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))