川口 悦弘 | NTTフォトニクス研
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概要
関連著者
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 安弘
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Ntt
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柴田 泰夫
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
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小川 育生
NTTフォトニクス研究所
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須崎 泰正
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
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吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
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佐藤 里江子
NTTフォトニクス研究所
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曲 克明
NTTフォトニクス研究所
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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小川 育生
NTTワイヤレスシステム研究所
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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笠原 亮一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 進
NTTフォトニクス研究所
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野口 悦男
NTTフォトニクス研究所
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竹内 博昭
NTTフォトニクス研究所
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細矢 正風
NTT通信エネルギー研究所
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柳橋 光昭
NTT通信エネルギー研究所
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笠原 亮一
NTTフォトニクス研究所
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近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
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佐藤 里江子
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
NTTフォトニクス研究所
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
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菊池 順裕
NTTフォトニクス研究所
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野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
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細矢 正風
Nttエレクトロニクス
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTTフォトニクス研究所
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井上 靖之
NTTフォトニックス研究所
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井上 靖之
Nttフォトニクス
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井上 靖之
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
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鈴木 安弘
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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大木 明
NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTT光エレクトロニクス研究所
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保井 孝子
NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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保井 孝子
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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八坂 洋
Nttフォトニクス研
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八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡本 浩
NTTフォトニクス研究所
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石原 昇
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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黒崎 武志
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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姫野 明
NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石原 昇
NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
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上岡 裕之
NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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石原 昇
群馬大 大学院工学研究科
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門田 好晃
NTTフォトニクス研究所
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上岡 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTTエレクトロニクス
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納富 雅也
NTT物性基礎研
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新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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鈴木 博之
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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瀬川 徹
Nttフォトニクス研究所
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青木 拓克
フルウチ化学 (株)
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山本 智
フルウチ化学 (株)
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細川 忠利
フルウチ化学 (株)
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松島 正明
フルウチ化学 (株)
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松尾 慎治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 博之
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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奥 哲
NTTフォトニクス研究所
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橋本 俊和
NTTフォトニクス研究所
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三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小熊 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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姫野 明
NTTエレクトロニクス株式会社
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北川 毅
NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鄭 錫煥
NTTフォトニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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小熊 学
NTTフォトニクス研究所
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布谷 伸浩
NTTフォトニクス研究所 日本電信電話株式会社
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馬渡 宏泰
NTTフォトニクス研究所
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三冨 修
日本ガイシ(株)
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室
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鈴木 博之
Nttフォトニクス研
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三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
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吉国 裕三
Nttフォトニクス研究所
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吉国 裕三
Ntt光エレクトロニクス研究所
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布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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吉國 裕三
日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所
-
北川 毅
NTT光ネットワークシステム研究所
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鈴木 博之
(株)日立製作所ストレージシステム事業部
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納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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三冨 修
電電公社
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鈴木 博之
(株)クラレ情報システム室
-
三富 修
NTTフォトニクス研究所
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鈴木 博之
静岡大学工学部
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近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
-
角倉 久史
Ntt物性基礎研究所
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新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
-
納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
-
陳 錦慧
NTTフォトニクス研究所
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野崎 謙悟
NTT物性基礎研究所
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松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
-
山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
-
細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
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馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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松尾 慎治
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
井上 靖之
NTTフォトニクス研究所
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
-
野崎 謙悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
著作論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- IPFキャリア実装による10 Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-3-74 SOAアレイとAWGを用いた等間隔/不等間隔多波長変換
- C-3-113 10Gb/s SOA-PLCハイブリッド集積波長変換モジュール
- C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- C-3-38 IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch. アレイ素子
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-24 Butt-Joint型スポットサイズ変換付き半導体ゲート(SS-SOAゲート)の長期安定動作
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-112 SOA-PLCハイブリッド集積波長セレクタの四光波混合を用いた多波長一括変換
- 1.3μm帯光トランシーバダイオード
- 1.3μm帯光トランシーバダイオード
- C-4-12 幅広導波路を用いた1.55μm偏波無依存型スポットサイズ変換付き半導体光アンプ(SS-SOA)
- SC-5-5 ハイブリッド集積光 XOR 回路を用いた偏波モード分散補償
- SC-4-2 モノリシック集積波長変換素子SIPASを用いた10Gb/s波長多重チャネルから40Gb/sチャネルへのビットレート変換
- C-4-22 1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの反射耐性および信頼性
- C-4-17 Butt-joint型1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの高温動作
- C-3-110 高利得PLCハイブリッドSOAアレイモジュール
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引